团队的DFT计算进一步揭示了异价V掺杂和界面工程的协同效应，长之间提升了相邻氧活性位点的内在OER活性。

在我们的前期研究工作中，高和我们通过I-和PF6-之间的原位离子交换反应在钙钛矿/Spiro-OMeTAD界面形成一层超薄FA0.88Cs0.12PbI3−x(PF6)x夹层，高和将器件PCE从17.8%提高到19.3%。近年来，同房钙钛矿薄膜中的应力应变已经被证明能够破坏器件性能。

进退（e）和（f）分别为单电子器件以评估薄膜的质量图4.（a）在SnO2和SnO2/KPF6基底上沉积的钙钛矿薄膜的XRD图谱。为了确定最佳的佳阴离子，两难还应尝试分子阴离子。以上工作鼓励我们进一步开发更有效的界面修饰分子，长之间达到改善钙钛矿薄膜质量、钝化界面缺陷及释放界面应力的目的。

高和（f）SnO2和KPF6/SnO2薄膜的FTIR光谱。同房以上工作表明通过界面工程来释放界面应力是一种行之有效的方法。

因此，进退含分子阴离子的界面修饰分子有望进一步提高器件的效率和稳定性。

两难（b）glass/ITO/SnO2/KPF6/钙钛矿的ToF-SIMS深度分布。预期该方法将提供合成此类大孔微孔材料的新途径，长之间以用于与能源有关的领域以及其他领域。

这些材料是通过熔融盐法合成的，高和具有高收率，较大的横向尺寸和纳米厚度。由于KCl和h-W2N3之间的强相互作用和畴匹配外延，同房h-W2N3的形成能可以大大降低。

这篇文章就为大家整理了周军老师科研生涯中的代表作，进退以此来追忆周军老师。两难合成后的MoSe2纳米片作为假电容材料具有良好的电化学性能。